SIC-MOSパワーアンプ
1.回路検討  
  10月13日に行われた金田アンプ試聴会に参加しSIC-MOSアンプの可能性を知り是非作ってみようと行動に移し
 ました。先生の完成された回路をコピーするのは簡単ですが、違ったアプローチの回路を検討して進めることにしまし
 た。
  一般的なアンプではNchとPchのMOSトランジスタが必要になりますが、SICはNchしかないので(技術的には作る
 ことができますが1ライン作るほどの需要が無い)昔に戻ってインバ−テッドダーリントン接続にしました。
2.SIC-MOS特性    
  採用するロームのトランジスター特性を下にアップしておきます。
 わかりづらいですが、100〜200mAのアイドリングを流すためには、ゲート・ソース間に4V台の電圧をかける必要が
 あります。また温度特性が、16mV/℃ほどあるのでバイアス回路で温度補償させます。 
 
SCT2080KE
   ロームのSIC MOS-FETを使用します。秋葉原の若松通商や千石,海神無線で購入することができます。
これは、SCH2080KEからサージ吸収用ショットキーダイオードを取ったタイプで当然出力容量が少なくなっています。MJ5月号に掲載されていますが、SCTMU001Fというオーディオ用SIC−MOSトランジスターが秋頃発売になります。
耐圧を400V,電流20A,許容損失132Wで、パッケージが小型になった物です。 数十Wのパワーアンプにはこちらの方がよいかもしれません。
 
SCTMU001F 
  ロームがオーディオ用に開発した小型パワーのMOSトランジスタです。
金田さんがMJ10月号で採用していますが、我々が購入できるのは10月後半かも? 
 
SCS120AG 
   ロームのSICショットキーダイオードです。600V耐圧の製品にはこの他に6Aと10A品がありますが電流容量が大きいほど超低域まで迫力のある出力が得られます。
これは特性を測定して違いがわかるものではありません。あくまでも試聴評価の結果によるものです。
       
       
       
       

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