OCDには、ゲインとトーンと出力についているレベル調整のボリュームがついています。 トーンコントロールは高域を調整するタイプですが、HP(HIGH PEAK)とLP(LOW PEAK)というピークレベルの切り替えがついてます。 下の回路図は初期のＲＥＶ１の物で、ＲＥＶ２〜４では一部定数が変更されています。 クランプにＭＯＳトランジスタの２Ｎ７０００を使用しているのが特徴のような気がします。
【ＯＣＤ　ＲＥＶ１】
２Ｎ７０００のＶｇｓ特性を利用しているように見えますが、実際にはソース＿ドレイン間に入っているボディーダイオードでクランプされます。 下にトランジスタの特性をのせておきます。 　ＯＣＤは、２段目（出力段）のアンプで、４．８倍ほど増幅するため低温では出力アンプで歪みが付加されると思われます。電源９Ｖをあげてやった方が音が良くなるなどの話もあるようで、ここら辺が影響しているのかもしれ　ないと思います。（REV4ではゲルマダイオード分さらに影響ありそうです。）
【ＯＣＤ　ＲＥＶ４】
【ＲＥＶ１】	【ＲＥＶ４】
上のグラフが、ＲＥＶ１とＲＥＶ４の周波数特性（シミュレーション）で緑色の線が初段のアンプ出力，赤い線がトーンコントロール（２０％，約センターのつもり）でレベル調整ＭＡＸの時の最終出力周波数特性です。

ＭＯＳトランジスタを使用したクランプ回路を実際に測定して見ました。 ２Ｎ７０００を使用して右の図による測定回路でクランプの両端をオシロスコープで測定しました。 　　入力は、１ｋＨｚ，３．３Ｖｐｐで測定しています。３枚目の波形は、４．６Ｖｐｐにアップさせた時の波形です。　１枚目の波形は、上でも説明したようにソースとドレイン間のボディーダイオード（ＰＮ）の特性が出ています。　３枚目のプラス（上）側のクランプ電圧は、ＭＯＳトランジスタのＶｇｓによるものです。
	【ＯＣＤのクランプ回路】
	【片側クランプ】
	ＰＮ接合によるクランプ電圧は、０．６Ｖほどになっています。 ＭＯＳトランジスタのＶｇｓによるクランプ電圧は、２Ｖほどになっています。 参考にＴｒ構造を載せておきます。

正弦波に対称クランプをかけると、デューティー５０％の方形波（台形波）となります。 これに対し非対称クランプをかけるとデューティー５０％とは異なる方形波（台形波）となります。 この違いを方形波の高調波成分で表したのが下のグラフになります。
【Duty=50%の方形波】	【Duty≠50%の方形波の例】
詳しい説明をするつもりはありませんが、対称クランプは基本周波数（入力）に対し奇数次高調波が付加され非対称クランプは偶数次高調波も付加されるため音色が異なる事がわかると思います。

回路検討   　このエフェクタは、米国ＫＬＯＮ社の製品でジョーペリーやＣＨＡＲや布袋などのギターリストに使われていることと、特に初期のＧＯＬＤは中古が高価に出回っているようなので興味が沸いてきた。 回路的にも他のオーバードライブにはない構成をしているので非常に興味があり検討する事にしました。歪みについては評価が分かれていて、これも検討課題となります。 元々ゲルマニウムダイオード（点接合）は、シリコンダイオードのようにＰＮ接合によるものとは異なりハードクリップしない。この点をうまく利用した最適な動作点を探ってやる必要があります。
	初段は、バイフェットオペアンプによるバッファアンプとなっています。スイッチでエフェクタをバイパスしてもこの回路を通りますのでバッファとしての使用も可能です。
バッファの次に信号の流れは、三系統にわかれます。まず、一つはローパスフィルターに入ります。 　二つ目は、中域から高域にかけてイコライザを掛けボリュームを通る経路。 最後が、ギター帯域をボリュームを通してアンプで増幅させ出力でゲルマダイオードによるクリップ回路で歪みを作る経路となっています。 　二系統に入っているボリュームは連動していて０に絞るとローパスフィルタのみの出力が次段に流れます。 このボリュームはＧＡＩＮと呼ばれていて、絞り気味ではゲルマダイオードによる歪みが起こらない状態となります。 　紺色とピンク色のグラフがゲルマＤｉで緑色がシリコンＤｉです。違いがわかると思います。
右のグラフが、上の回路図の出力電圧特性をしめしたものです。 　ピンク色の線がローパスフィルター出力で、青が真ん中の経路です。 黄色が、アンプを通した出力でダイオードは外しています。ボリュームはMaxになっているので実際は、ダイオードでクリップされ周波数特性が中高域で平坦化されるでしょう。
右の図がミキシング回路です。 入力から直列に入る抵抗値がそれぞれ異なる値ですので三系統ともゲインが異なります。　（抵抗値が低いほどゲインが高い。） 　真ん中の入力には、パラに抵抗とコンデンサが付いていますので中高域のゲインを上げる働きをさせています。 　真ん中と下の入力には抵抗とコンデンサの直列回路が繋がっているのでどのようなミキシング波形になるのか予測がつきません。この段で、２０〜３０ｄBの増幅をしています。この段では、増幅しても信号がつぶれないように電源電圧を約３倍にしています。 （ダイオードでクランプされた波形が入ってきてもあたることはありません。）
	左の図は、一般的な高域のみのトーンコントロール回路です。帰還の抵抗値が左右均等で無いため、高域を下げる方向にはあまり変化が無く上げる方向に変化をつけています。
一通り回路を眺めてみて技術的に問題なのは、まず入力のバッファの出力が、ＧＡＩＮボリューム０の時４７ｎＦの容量負荷となる事。（不安定になり発振しやすい・０で使用する事は無いので問題ないとも言える。） 　ハムバッカで入力２００ｍＶを考えると歪みを作る系統でＧＡＩＮボリュームを上げると次段のアンプで歪みダイオードでさらに歪みを与え（本来の歪み）事になる。 多分この事によりあまりＧＡＩＮボリュームを上げると音が良くないといわれているのだろうと思います。
改善回路 　以上の検討結果を基に、オペアンプの変更をメインに独断で回路変更案を作ってみます。 周波数特性は変更すると別のエフェクタを作るのと変わらないので、できるだけ変わらないようにしました。　ピックアップにより入力レベルが倍ほど違うので、ゲインボリュームｍａｘでアンプを歪まないようにする事は無理なのでＢ型のボリュームからＡ型のボリュームに変えてコントロール範囲を広くしました。 ゲルマニウムダイオードのVf（０．６Ｖ-ｔｙｐ，１Ｖ-max)と出力のトーンコントロールを考えるとマージンが少ない可能性もあるのでダイオードに繋がる抵抗を１ｋから１．２ｋに上げてみました。（特に電池がへたってくると）一番の変更点は、初段のバッファ用オペアンプを容量負荷に強いタイプに変更することです。（＋減電にも強い）どんなに強くても無条件で４７ｎＦ負荷で不安定にならない物は無いので外付けの　対策が必要です。 十分な検証はまだですが、下の回路がたたき台となります。

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