Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｈａｒｍｏｎｉｘ社が１９６８年に発売したクリーンブースター。 技術的に見た場合あまり推奨できない点が２つほどある。まずバイアスの安定度がやや低い（温度で変化大きい）事と、入力インピーダンスがバイアス抵抗により低い事である。 改善後を右に書いてみた。音色がどうなるかは別である。
【ＬＰＢ−１】	【改造】
改造の回路で、当初はゲインを同等にしようと考えましたがクリーンブースターにするため２０ｄＢに下げることにしました。このようにすれば、バイポーラトランジスタを使用しても入力インピーダンスを高くすることができます。

ＬＡＮＤ ＧＲＡＦＦのＣｌｅａｎ Ｂｏｏｓｔは、基本的にはＺ．ＶＥＸ Ｓｕｐｅｒ Ｈａｒｄ Ｏｎと同じです。 ブースターの保護回路が多少強化されています。（基板から回路図を作成しているので間違っているかも）

Ｃｌｅａｎ Ｂｏｏｓｔ同様ＭＯＳを使用した１段アンプですが、ＤＣバイアスの回路が異なります。 ゲインボリュームを可変してもバイアスが変動しないので、安定した回路です。 ＢＳ１７０を使用していますが、２Ｎ７０００を使う場合はバイアス電圧を少し下げた方が良いかもしれません。

Ｊａｃｋ　Orman's氏によるブースターで、ナショセミのアプリケーションノートの回路を利用したものらしい。 このホームページでもオーディオの所で真空管（三極管）のＳＲＰＰ回路を紹介しているが、これをＦＥＴに置き換えるとこの回路のようになる。 シミュレーションでは、三極管と同じ回路で動作させることができるが、同一特性のＦＥＴが２個必要でなお同一温度で動作させなければＤＣバイアスが安定しないため現実的にはこの回路が最適である。 この回路で上のＦＥＴのバイアスをあたえている抵抗１Ｍが出力の負荷となるので若干ゲインが低くなるが、その他は同等な動作となる。 ソース接地の抵抗負荷動作に比べてゲインが高くなるのでピーク入力時は、歪むことになります。
【ｍｉｎｉ booster回路】	【真空管置き換えSRPP回路】

Ｒａｎｇｅ　Ｍａｓｔｅｒは、トレブルブースターとして有名なブースターです。この製品をベースにＪａｖａ　Ｂｏｏｓｔが作られていると言うことで自作を検討してみました。 本物をみているわけではないので回路に間違えがあるかもしれませんがこれを基準として説明します。 周波数特性は、入力のＣ（０．００５μＦ）とＲ（４７０ｋ//６８ｋ）で中低域のゲインを下げています。ゲルマニウムＴｒを使用しているのでＩｃｂｏが無視できないためバイアス抵抗の６８ｋが多少低めになっています。 これに対し、右の回路では切換ＳＷを付けてトレブル・ミッド・フルレンジに対応させています。 ただこの回路の問題は、バイアス抵抗にあります。ベース〜グランド間抵抗よりベース〜電源間の抵抗値を大きくする必要があるのに逆となっている点です。（ネットに出ている図が間違えているだけかも？） あと、使いやすくするためにトーンボリュームはＢタイプではなくＣタイプを使用したいと思います。 ここを修正すれば、用途の広い使いやすいブースターとなります。
【Range Ｍａｓｔｅｒ】	【Ｊａｖａ Ｂｏｏｓｔ】
【Range Masterのｆ特】  【Java Boostのｆ特】
改善した回路を下記に掲載します。  Ｊａｖａ Ｂｏｏｓｔは、プラス電源でしたがマイナス電源にしました。（電源・電池の繋ぎを変えるだけ）

ｋｅｅｌｅｙのもう一つのブースターです。 昔から評判のブースターのほとんどがゲルマニウムトランジスタを使用しているのに対しジャンクションＦＥＴを使用した製品です。ネットで調べた回路なので違う所もあるかもしれません。電源は、９Ｖを内部でチャージポンプ式の電源により２倍にして供給しています。

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