半導体ヘッドフォンアンプⅢ
1.NEWコンデンサーHP  
 前回初段を真空管で設計をしたが少しでも小型にするためオール半導体によるアンプを作ることにしました。だんだんトランジスタアンプを作るための部品が無くなっていく中で高耐圧のトランジスタは現在すべて製造中止になっていて市場在庫のみとなっています。最後のアンプとして作っておこうと思います。
不思議な物で、真空管は今でも量産品で自作することが可能となっています。
   2019/12/19 up
 上の回路がスピーカーを駆動するためのパワーアンプをそのまま高耐圧化した回路構成です。これを具体的にシミュレーションデータを元に部品を決めてできた回路図になります。
苦労したのはBTL駆動で片側400Vpp以上の振幅を20kHz以上の帯域まで実現させる事です。 
2段目のPNPトランジスタのCobが大きいと10kHzあたりから振幅がとれなくなります。トランジスタの選定がポイントになります。また上のような帰還により作動のBTL動作をさせると発振を止めるのが難しい事がわかり変更することにしました。
  2020/1/8 up
 2段目のトランジスタを最初は2SA1486を採用することで検討しましたがCobの影響でスルーレートが高くとれず他の物を探すことにしました。東芝の2SA2142のスパイスデータがホームページにあったのでシュミュレーションを行い40kHz以上まで振幅がとれたので同等の旧製品(廃盤)2SA1937を採用することにしました。また出力段のアイドリング電流の温度特性キャンセルを前段の定電流回路で行うことをチャレンジしました。3mAぐらいの電流では温度が上がると電流が少なくなる特性を利用してSCT2H12NZのバイアス電圧をコントロールしてあげます。
   2020/1/8 up
   
2.電源回路  
  ±260Vの電源と±12Vの電源が必要ですので検討してみました。最近の電源は同様の回路を採用しています。
  2020/1/8 up 
   
   

M.I.の趣味の部屋