使用して評価する中で温度安定度や電源投入時の変動による使いづらい点を変更することにしました。
またＭＣカートリッジ使用の場合ゲインが足らないので初段にＦＥＴを入れてゲインを稼ぐことにしました。
また直流電流を流せないトランスを使用しているので無理せずコンデンサカットすることにしました。
ラインアンプもＷＥ４０７（プレート－カソード電圧が１５０Ｖ以上必要）を使用するため回路が複雑になっていましたがＷＥ４０８を使うことによりシンプルに変更しました。 |
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2019/3/1 |
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ＷＥ４０８とヒーター電圧が違うだけの真空管の中からＥＦ９５のデーターシートに三極管特性が載っていましたので設計の参考にしました。
下がそのグラフで負荷線を引いてみました。
電源１００Ｖでプレート電流を５～６ｍＡ流しても十分な振幅が得られることでシンプルな回路になりました。左の回路のままでは差動動作とならないためトランスの二次側から帰還をかけて使います。
２ＳＫ１１７は６ｍＡ前後でＩｑポイントのＦＥＴなので選びました。ＧＲランクの中から６ｍＡ前後のものを選び採用しました。カソード側の抵抗をなくすことによりグランド動作も可能となるかもしれません。（Ｖｄｓ＝２Ｖ） |
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| ８２０Ω負荷時の周波数特性を下に載せておきます。無負荷では１７ｄBほどありますが８０ｋHzあたりにピークが出ます。カソード側の定電流はグランドで動かしています。 |
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2023/5/5 up |
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初段はＰチャンネルのＪＦＥＴを使用します。ＦＥＴは耐圧が低いのでＰＮＰトランジスタをカスコード接続しました。
ＦＥＴの温特を補正するために同様の定電流回路を使用して2段目のバイアス電圧を作り出しています。２段目はＷＥ４０８を三極管接続させＳＲＰＰ構成にしています。
中点電圧は真空管のバラツキによりますがほぼ数ボルトのプラス電圧になります。
このためトランスとの間にカップリングコンデンサを投入します。
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2019/3/1 |
| ラインアンプでは、電源１００ＶでＷＥ４０７の使用ができなくなりましたが、イコライザ回路では３ｍＡ動作なので使えそうです。 |
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2019/3/6 |
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最終予定回路を掲載しておきます。初段のＦＥＴに２ｃｈ入りの２ＳＪ１０９ＢＬを使用し２ｍＡ程度の電流を流します。定電流動作で２段目のグリッドとカソードにＤＣバイアスをあたえます。これにより温度でＧＫ電圧が変動しないように動きます。真空管の電流を３ｍＡほどに押さえたのでＷＥ４０７でも１００Ｖ弱で動作可能としています。
右の写真が初段部分のブロックでケースの中にＦＥＴやトランジスタの付く基板が入っています。
初段アンプとLCRまでの周波数特性が下のグラフです。 |
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2023/5/9 up |
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トータルゲインをもう少し上げる事と片側をバイアスだけに使用するのはもったいないので差動動作としました。
本来＋１０Vもあるので定電流の差動を組むこともできるのですが、今回は組んだ基板の改良を行うので左の回路にしています。
右の真空管の下側のカソード抵抗はプレート電圧が丁度バランスするように抵抗値を変更しています。
この変更により歪も改善されています。 |
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2023/5/9 up |
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２段目のアンプも電源投入時の真空管のアンバランスな起動を考え保護ダイオードとＤＣ帰還部のトランジスタをバイポーラからＭＯＳへ変更してみました。Ｖｂｅの逆耐圧が６Ｖなので耐圧が±20V のＭＯＳへ変えて見ました。回路的には逆耐圧を超えるような動きはしないはずですが念のため。
オペアンプの入力に付けたダイオードは、真空管の起動時の動作アンバランスや1つだけ真空管が壊れた場合の保護として必要になります。 |
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2019/6/2 |
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| 回路をオペアンプを使用しない回路構成に変更してみました。上の回路は、1段アンプですが２段構成にして帰還量を増やすことにより安定なDCアンプが構成できます。位相補償は必要です。 |
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