エレクトロハーモニックス社が１９７１年に出したシリコンファズです。ファズの弱点であるサスティーンを出すことを目的に開発されました。ジミ・ヘンドリックスが使用したことで有名になりサンタナやジミーペイジなど多くの人に愛用されました。 　今回改めてネット検索で回路を調べると、色々な定数の物が見つかり迷ってしまいます。 そこでシリコンファズとしてＢＩＧ・ＭＵＦＦオリジナルから私なりに見直しをしたバージョンを作成することにしました。 まず入力段ですが、直列抵抗を３９ｋから８２ｋに上げています。これにより６ｄＢほどゲインが下がりますがトータルゲインが高いので問題にならないと思います。この抵抗が大きいことで入力インピーダンスを高め入力に影響されにくくしました。 次に二段目，三段目のクリップダイオードです。 レベルが大きいと二段目でクリップするのでここは、シリコンダイオードを使う事になります。(1N4148） 三段目はその手前でクリップし始めますのでゲルマニウムダイオードに変更します。 最初にクリップするのは、最終段のアンプです。(ダイオードによるクリップがあるので最初は三段目でクリップします。）ギターから直接入力するレベルでは、初段のアンプではほとんどクリップすることはありません。（入力レベルによりクリップする場所が変わるので音の変化が得られます。） トンコントロールの定数の見直しもしてみました。（回路図はpdfにして貼り付けました。）    2021/2/19 up pdfにて貼り付けてあります。 　Big Muff もネットでいろいろ調べていると色々なバージョンがあることがわかります。 まずは、トーンコントロールを見ていると上に載せている回路図の物よりローパスフィルター及びハイパスフィルターの抵抗が22ｋΩ（20ｋ）の物の方が多く見られました。 そこで特性がどのように違うか左にグラフを載せました。100ｋΩのボリュームを左（青）真ん中（オレンジ）右（灰色）の時の周波数特性です。この特性は、三段目の入力から終段の出力までの出力特性です。 Big Muff_Aが、回路を載せている物の特性。 Big Muff_Bが、抵抗22ｋΩのバージョン。 新トーンコントロール回路の特性です。 ２段目，３段目のダイオードクリップに直列に入っているコンデンサの値も１μF，０．１μF，４７ｎFと三種類ほどあるようですが４７ｎFを選びました。    2021/2/3 up
ディストーションに近いファズで回路的にはＢｉｇＭｕｆｆを元に改良されて作られた製品だと思います。 出力段をＦＥＴにかえて歪ませかたを出力段→３段目→２段目と徐々に変化を持たせている工夫がみられます。 実際の音を聞きながら作られた製品のようです。 　入力のトランジスタのベースがバーチャルグランドとして機能するため直列抵抗（３９ｋ）がＶ／Ｉ変換として働く。トランジスタのベース電流を無視すれば、この入力電流がダイオードと抵抗（４７０ｋ）のパラレル回路に流れ込むことになります。ここでＩ／Ｖ変換が行われ出力電圧が０．１Ｖrmsまでは抵抗のみの特性となりますがそれ以上の電圧ではダイオードに電流が流れ初めて非線形のクリップ電圧となります。 　別のところでも説明していますが、トランジスタによるクリップについてネットで間違った説明が見うけられるので整理しておきます。 まずは、ＦｉｒｅＲｅｄＦｕｚｚに使われている回路のクリップ波形をシュミレーション結果として載せます。ダイオードを使用した波形はピークｔｏピークで０．７２Ｖでクリップされています。ジャンクションＦＥＴでは、本来電流を流さないＰＮジャンクションを使用するため高めの０．９５Ｖでクリップされています。 ●１Ｎ４１４８   　上図の右側の回路でダイオードによるクリップ特性を示します。 出力の波高値が０．７２Ｖぐらいになっています。 ●２Ｎ３８１９   　上図の左側の回路でダイオードによるクリップ特性を示します。 ゲートとソース・ドレイン間のＰＮジャンクション（ダイオード）特性となります。 出力の波高値が０．９５Ｖぐらいになっています。 　下図の回路は、ＭＯＳＦＥＴを使用した回路例です。２つの回路は大きく異なりますが同じ動作のように間違った説明がアップされていたりしますのでとりあげました。 ＭＯＳトランジスタにはソース・ドレイン間に逆接続の寄生ダイオードが存在するため左の回路では、寄生のＰＮ接合ダイオードのＶｆ電圧でクリップされ、ほぼ２Ｎ３８１９と同様な波形となります。 　右の回路ではドレイン側にダイオードを入れることにより寄生ダイオードの影響をなくしＭＯＳのゲートＯＮ電圧（３．２Ｖｐｐ）でクリップする波形を得ることができます。 ジャンクションＦＥＴは、ディプレッション・モードであるためＭＯＳ（エンハンスメント・モード）のような動作をさせることはできません。 ●２Ｎ７００２＋Ｄｉ   　上図の右側の回路でクリップ特性を示します。 ＭＯＳトランジスタのソース・ゲート間の寄生ダイオードを外付けのダイオードによりキャンセルしゲート電圧によるクリップ特性を実現したものです。 出力の波高値が３．１Ｖぐらいになっています。   　さらに私なりのアレンジを加えた回路を加えて作製を考えました。 まず初段のアンプですがＦＥＴにかえて入力インピーダンスを大きくしてあげようと思います。また可変抵抗により変化させてあげる事も検討します。 次の段のクリッパーである２Ｎ３８１９は入手しにくいので他のＦＥＴへ、トランジスタはＢＣ１０９Ｃを使用します。    2015/11/14　UP 　当初初段の負荷抵抗を１５ｋにしましたがゲインが大きすぎ初段でクリップしてしまうのでゲインを下げるため３．９ｋに変更しました。これにともないソース側の抵抗を１．８ｋにしました。 ほぼ部品を基板に取り付けた写真が右になります。    2015/11/22
M.I.の趣味の部屋