FuzzⅡ                             
4.Big Muff  
 エレクトロハーモニックス社が1971年に出したシリコンファズです。ファズの弱点であるサスティーンを出すことを目的に開発されました。ジミ・ヘンドリックスが使用したことで有名になりサンタナやジミーペイジなど多くの人に愛用されました。
   
5.Fire Red Fuzz  
 ディストーションに近いファズで回路的にはBigMuffを元に改良されて作られた製品だと思います。
出力段をFETにかえて歪ませかたを出力段→3段目→2段目と徐々に変化を持たせている工夫がみられます。
実際の音を聞きながら作られた製品のようです。
 入力のトランジスタのベースがバーチャルグランドとして機能するため直列抵抗(39k)がV/I変換として働く。トランジスタのベース電流を無視すれば、この入力電流がダイオードと抵抗(470k)のパラレル回路に流れ込むことになります。ここでI/V変換が行われ出力電圧が0.1Vrmsまでは抵抗のみの特性となりますがそれ以上の電圧ではダイオードに電流が流れ初めて非線形のクリップ電圧となります。
 別のところでも説明していますが、トランジスタによるクリップについてネットで間違った説明が見うけられるので整理しておきます。
まずは、FireRedFuzzに使われている回路のクリップ波形をシュミレーション結果として載せます。ダイオードを使用した波形はピークtoピークで0.72Vでクリップされています。ジャンクションFETでは、本来電流を流さないPNジャンクションを使用するため高めの0.95Vでクリップされています。
1N4148
   上図の右側の回路でダイオードによるクリップ特性を示します。
出力の波高値が0.72Vぐらいになっています。
2N3819
   上図の左側の回路でダイオードによるクリップ特性を示します。
ゲートとソース・ドレイン間のPNジャンクション(ダイオード)特性となります。
出力の波高値が0.95Vぐらいになっています。
 下図の回路は、MOSFETを使用した回路例です。2つの回路は大きく異なりますが同じ動作のように間違った説明がアップされていたりしますのでとりあげました。
MOSトランジスタにはソース・ドレイン間に逆接続の寄生ダイオードが存在するため左の回路では、寄生のPN接合ダイオードのVf電圧でクリップされ、ほぼ2N3819と同様な波形となります。
 右の回路ではドレイン側にダイオードを入れることにより寄生ダイオードの影響をなくしMOSのゲートON電圧(3.2Vpp)でクリップする波形を得ることができます。
ジャンクションFETは、ディプレッション・モードであるためMOS(エンハンスメント・モード)のような動作をさせることはできません。
2N7002+Di
   上図の右側の回路でクリップ特性を示します。
MOSトランジスタのソース・ゲート間の寄生ダイオードを外付けのダイオードによりキャンセルしゲート電圧によるクリップ特性を実現したものです。
出力の波高値が3.1Vぐらいになっています。
 
 さらに私なりのアレンジを加えた回路を加えて作製を考えました。
まず初段のアンプですがFETにかえて入力インピーダンスを大きくしてあげようと思います。また可変抵抗により変化させてあげる事も検討します。
次の段のクリッパーである2N3819は入手しにくいので他のFETへ、トランジスタはBC109Cを使用します。
   2015/11/14 UP
 当初初段の負荷抵抗を15kにしましたがゲインが大きすぎ初段でクリップしてしまうのでゲインを下げるため3.9kに変更しました。これにともないソース側の抵抗を1.8kにしました。
ほぼ部品を基板に取り付けた写真が右になります。
   2015/11/22
 
   
   
   

M.I.の趣味の部屋